[CMOS] Pojemnosc podbramkowa

Cyrk - 13-02-2007 18:45
[CMOS] Pojemnosc podbramkowa
Witam. Realizuje w scalaku kondensator za pomoca pojemnosci podbramkowej
tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam
dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje
pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia
kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt ktory
ma na to wplyw?

Zdravim

Greg$G.Kasprowicz$ - 14-02-2007 12:45

> Witam. Realizuje w scalaku kondensator za pomoca pojemnosci podbramkowej
> tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam
> dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje
> pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia
> kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt
> ktory ma na to wplyw?

chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?

otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora, ale
chyba nie na jego pojemnosc

entroper - 14-02-2007 14:45

Użytkownik "Greg(G.Kasprowicz)" <Grzegorz.Kasprowicz_usunto_@CERN.CH> napisał
w wiadomości news:equqsf$alm$1@inews.gazeta.pl...

> chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
> otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
> ale chyba nie na jego pojemnosc

Koledze chodziło chyba o pojemność bramka-kanał, jak najbardziej nieliniową
względem napięcia - tworzenie kanału polega przecież na przesuwaniu ładunków.

e.

Cyrk - 14-02-2007 15:45

Użytkownik "entroper" <entroper@CWD.spamerom.poczta.onet.pl> napisał w
wiadomości news:eqv1kj$i8r$1@nemesis.news.tpi.pl...
> Użytkownik "Greg(G.Kasprowicz)" <Grzegorz.Kasprowicz_usunto_@CERN.CH>
> napisał
> w wiadomości news:equqsf$alm$1@inews.gazeta.pl...
>
>> chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
>> otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
>> ale chyba nie na jego pojemnosc
>
> Koledze chodziło chyba o pojemność bramka-kanał, jak najbardziej
> nieliniową
> względem napięcia - tworzenie kanału polega przecież na przesuwaniu
> ładunków.

Hmmm nie mam pojecia jakie sa polskie nazwy, bo bazuje na literaturze
angielskojezycznej. Chodzi mi o cos takiego:

http://images11.fotosik.pl/52/3b0fef218dd849c4.jpg (rysunek w paincie
robiony w pospiechu)

wartosc pojemnosci 15,5pF powyzej jakichs 1,2V.

I teraz pytanie brzmi: czy oprocz widocznego przejsca przez kolejne zakresy
pracy tego tranzystora jeszcze cos wplywa na taki wyglada charakterystyki
pojemnosci wzgledem napiecia?

entroper - 14-02-2007 17:45

Użytkownik "Cyrk" <cyryk(malpka)op.pl(koniec)@nie.chce.smieci> napisał w
wiadomości news:eqv67e$8fp$1@news.mm.pl...

> I teraz pytanie brzmi: czy oprocz widocznego przejsca przez kolejne zakresy
> pracy tego tranzystora jeszcze cos wplywa na taki wyglada charakterystyki
> pojemnosci wzgledem napiecia?

co to znaczy "jeszcze coś" ? Jeszcze coś oprócz samego tranzystora ? :)
Proponuję wpisać w google chociażby MOSFET CV i zapoznać się np. z drugim
wynikiem www.keithley.com/data?asset=3580. Jest tam wszystko ładnie opisane
(troche mylące jest to p-type substrate, ale dalej się wyjaśnia).

e.

Cyrk - 14-02-2007 17:45

> Proponuję wpisać w google chociażby MOSFET CV i zapoznać się np. z drugim
> wynikiem www.keithley.com/data?asset=3580. Jest tam wszystko ładnie
> opisane

O wlasnie o cos takiego mi chodzilo - dzieki wielkie.