Tranzystory polowe MOSFET, pytanie z teorii

Raf - 24-02-2007 18:45
Tranzystory polowe MOSFET, pytanie z teorii
Witam,

Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:
- z kanalem wzbogacanym
- z kanalem zubazanym

Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to
wartosc napiecia progowego oznaczana
jako Ut lub Ugs(th)

Moje pytanie brzmi:
Od czego zalezy wartosc tego parametru?

Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
i definiowane w tym procesie czy moze dany
fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci
od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?

Pozdrawiam,
Raf

Arczi - 24-02-2007 18:45

Raf napisał(a):
> Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
> i definiowane w tym procesie

Tak.

--
Pozdrawiam
Arczi

=?ISO-8859-2?Q?=A3ukasz_Zem=B3a?= - 24-02-2007 20:45

Raf napisał(a):
> Witam,
>
> Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:
> - z kanalem wzbogacanym
> - z kanalem zubazanym
>
> Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to
> wartosc napiecia progowego oznaczana
> jako Ut lub Ugs(th)

Formalnie to:
1. Nie tylko formalna różnica
2. Nie tylko wartości, ale interpretacji tego parametru

> Moje pytanie brzmi:
> Od czego zalezy wartosc tego parametru?
>
> Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
> i definiowane w tym procesie czy moze dany
> fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci
> od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?

Zależy to od procesu technologicznego, po prostu robi się:
1. Albo tranzystor z kanałem zubażanym (inna nazwa - wbudowanym) (kanał
z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs,
aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").

2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie
ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć
nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".

--
Pozdrawiam,
Łukasz "Coulomb" Zemła

Raf - 24-02-2007 22:45

Łukasz Zemła wrote:

> 1. Albo tranzystor z kanałem zubażanym (inna nazwa - wbudowanym) (kanał
> z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs,
> aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").
>
> 2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie
> ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć
> nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".

No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)

--
Pozdrawiam,
Raf

nuclear - 25-02-2007 14:45

> No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
> wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
> Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
> Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)
>
ze swojej strony polecam zajrzeć do skryptu Koprowskiego(podstawowe
przyrządy półprzewodnikowe), dość ciekawie opisał miedzy innymi te elementy.

Desoft - 25-02-2007 14:45

Użytkownik "Raf" <rafUSUN@USUNmahtar.net> napisał w wiadomości
news:erqb4e$jci$1@nemesis.news.tpi.pl...
> Łukasz Zemła wrote:

> No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
> wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
> Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
> Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)

Tłumaczenie tekstu powyżej:
No tak teraz pojawia się pytanie czy np. jeżeli w tranzystorze jest kanał
otwarty to można go otworzyć?

--
Desoft
http://217.96.144.226/desoft

Raf - 25-02-2007 15:45

Desoft wrote:
> Tłumaczenie tekstu powyżej:
> No tak teraz pojawia się pytanie czy np. jeżeli w tranzystorze jest kanał
> otwarty to można go otworzyć?

Hehe, no tak, dzieki za bardzo obrazowe przedstawienie tematu,

--
Pozdrawiam,
Raf